陈国荣，1945年11月出生，汉族，九三学社成员。1969年7月毕业于复旦大学物理学系电子物理专业。现任复旦大学材料科学系教授，博士生导师，学术委员会委员，复旦大学力学与技术科学学位评定委员会委员。同时，陈国荣是中国电子学会高级会员，中国电子学会光存储专业委员会委员；同时也是上海市电子学会理事，中国真空学会高级会员，并担任上海市真空学会会员及薄膜专业委员会主任。此外，他还是《功能材料》杂志的编委。陈国荣教授在日本NEC-ANELVA公司、日本庆应大学、日本工业技术院电子技术综合研究所（现为产业技术综合研究所AIST）从事多年访问研究或客座研究员工作。他在多项863和国家重点攻关项目中担任负责人或863项目课题组长。陈教授的专业领域包括真空与薄膜技术、纳米电子学、光电信息存储材料和技术等。在科研成果方面，陈国荣教授在国内外杂志上发表了超过100篇论文，并获得了20项国内外专利（包括一项美国专利和一项日本专利），还有12项专利正在受理中（包括3项日本专利）。他参与合编了一部著作，并翻译了一部著作。
